发布网友 发布时间:2022-04-22 09:03
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热心网友 时间:2024-01-20 14:11
其实没大看明白你的题意。不过MOS管根据沟道导电类型,可以分为NMOS、PMOS,NMOS的源漏区为N型掺杂,衬底为P型掺杂,导通时,在栅极下方的P型衬底上形成由电子构成的反型层,而电子是N型导电类型半导体的多子,因此,这种MOS为N型MOS(即NMOS);PMOS的源漏、衬底的掺杂类型刚好与NMOS的对应相反,其导通时是靠空穴导通。
热心网友 时间:2024-01-20 14:12
半导体反型层哇