一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201210301567.3 （22）申请日 2012.08.22

（71）申请人 中国科学院电工研究所

地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

（10）申请公布号 CN102820277B

（43）申请公布日 2015.08.26

（72）发明人 钟玉林;苏伟;孟金磊;温旭辉

（74）专利代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司

代理人 关玲

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构

（57）摘要

一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结

构，所述的覆铜陶瓷基板的正面覆铜层包括流过主电流的铜箔（120、121、122）以及辅助控制极的铜箔（101、102，110、111）。所述的辅助控制极铜箔包括：辅助栅极控制铜箔（102、111）和辅助发射极控制铜箔（101、110）。IGBT的栅极控制端子（103）通过绑定线连接到IGBT的辅助栅极控制铜箔（102），并通过绑定线进一步连接到IGBT芯片的栅极焊盘（109）。IGBT的发射极控制端子（104）通过绑定线连接到

IGBT的辅助发射极控制铜箔（101），并通过绑定线连接到与IGBT的发射极相连的主电流铜箔（120）。 法律状态

法律状态公告日

2012-12-12 2012-12-12 2013-01-30 2013-01-30 2015-08-26 2015-08-26 2019-12-13

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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说明书

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