PVA偏光膜的制备新工艺及性能

第卷第月期北京理工大学学报几囚丫年加石加记功加偏光膜的制备新工艺及性能张公正北京理工大学化工与材料学院四十宫龙德北京侧洲日本千叶工业大学千叶摘化钾要研究了一种新的偏光膜制备工艺采用聚乙烯醇偏光膜为主体材料内混有碘用过氧化氢氧化制备实验结果表明以上基膜中含的量为皿。用、玫为的溶液氧化经拉伸干燥后可制备出有卯以上偏光度的偏光膜氧化关键词聚乙烯醇偏光膜分类号近年来随着液晶显示技术的发展对偏光膜的耐热抗湿等性能也提出了更高的要’一’求已有不少有关用染色法制备改性偏光膜的研究报导【提出与染色法完全不同的制备偏光膜工艺将预先混溶有碘化金属盐的基膜在氧化浴中氧化经延伸干燥后得到的这种工艺的优点在于一方面可以避免染色法染色不均造成的困扰降低生产成本另一方面能够简化偏光膜的工业化生产过程本文介绍了其中的一部分工作只使用光性能的影响为的溶液作为与复合膜的氧化剂研究了氧化时间拉伸比对偏并对基膜和偏光膜的一些性能作了测试取得了一些有意义的实验结果实验实验用原材料聚乙烯醇型号碘化钾特级过氧化氢特级试样制备及方法取和灯溶解于水中加热到℃完全溶解并混合均匀后冷却到室温基膜用流延法浇铸在聚乙烯板上为℃常压干燥后得到膜厚为℃卿左右的将基膜放人比可调整止的水溶液中氧化氧化温度为氧化时间可调整把被氧化过的基膜装在拉膜机上在℃为的溶液中单向拉伸拉伸拉伸过的膜放人卯℃为的水溶液中浸泡而后℃常压干燥收稿日期肠创粥北京理工大学学报第卷得偏光膜性能测试透射比和吸收光谱曲线用。一下。分光光度计测得。’‘,偏光度根据射线。式计算。为枚偏光膜平行组合的透射比场为枚偏光膜垂直组合的透射比「衍射分析用型射线衍射仪测定结果与讨论级化时间对偏光性能的影晌由于偏光膜是通过氧化含有基膜‘「尸一一一一一一兰罗用盆的用量岁毅埃侧︸经拉伸后得到的基膜中赫气产飞一一一‘固定后氧化条件对偏光膜的偏光性能影氧化时间越长‘一厂响很大的基膜中就有更多膜的氧化时间氧化时间与偏光性能的关系拉伸比为被氧化成膜的颜色就越深颜色和均匀性直接影响偏光膜的偏光度和透射比图间大于的结果表明时随着氧化时间的增加偏光膜的偏光度增加透射比减少当氧化时偏光度几乎达到如氧化时间另外用该工艺制备偏光膜只需较少的氧化时间就可以获得较高的偏光度时偏光度天于透射比大于这点也说明膜在氧化浴中的氧化反应速率非常大拉伸比对偏光性能的影响被氧化过的即制得偏光膜基膜在轴向拉伸一定倍数拉伸是制备偏光膜的关键工艺嵘袋哭创。次之一所谓拉伸比就是基膜被拉伸的长度与拉玉芸伸前长度之比值出现断裂等现象图拉伸比要依基膜的材质而定宝位伸倍数太小时膜的偏光性能不好为拉伸比与偏光度过大时会透射比的关系曲线的结果表明偏光度和透射比都随拉伸比的增拉伸比大于时加而增加时偏光度几乎达到图拉伸比拉伸比与偏光性能的关系氧化时间为拉伸比超过膜很容易被拉断结晶性拉伸比增大时断裂伸长率则下降基膜膜越薄聚合物的密度双折射弹性模量和抗拉强度均明显增大而这是由于大分子链匆立伸取向后聚集态结构也随之改变所致‘’对增加拉伸比将增加分子的有序性综合考虑各种因素这无疑会增加其偏光度拉伸比越大其透射比也就越大膜的位伸比以选择大于或等于较第期张公正等偏光膜的制备新工艺及性能为合适射线衍射分析文献【已给出了用染色法制作膜的射线衍射强度分析结果峰在为时基膜有强的衍射由于基膜被拉伸又经硼酸处理过之间形成络合物峰变宽图的聚合物的结晶度变大使时的衍射人强度相对减弱为用新工艺制备的在基膜氧化膜和偏光膜射线衍射强度分析结果在时含有的基膜的衍射峰较小等于被氧化之后和等处为为图膜的射线衍射图存在明显的消失衍射峰在的衍射峰全部心基膜为被氧化基膜氧化时间为偏光膜拉伸比为的特征衍射峰增强变宽而偏光膜的‘衍射峰强度和宽度的变化更为明显又紫外及可见光谱分析邻、、,‘、、‘图为基膜氧化膜和偏光膜的紫的答外及可见吸收光谱歹吸收峰外和除偏光膜存在日洲准图一水三飞二波长又二‘二二二二氧化膜和偏光膜还存在这些吸收峰都是不为基膜沉的至吸收峰同聚集态碘的特征吸收耐热性用染色法制备的热性能膜的紫外及可见吸收光谱曲线为被氧化基膜氧化时间为为偏光膜拉伸比为偏光膜有较差的耐℃以上这种偏光膜被加热到颜色褪掉被加热到图从而失去偏光功能用新工艺制即使偏光膜备的偏光膜有较好的耐热性能℃以上偏光性能也变化不大表示偏光膜在加热前后吸收光谱的变化两曲线相比情况加热以后的偏光膜夕公炭卜一一吸收峰增加下式表示歹吸收峰减小该变化可以用图元波长又偏光膜加热前后紫外及可见光谱的变化曲线一、些例如把偏光度为的偏光膜加热到巧造、黑维持卫基膜为偏光膜加热前巧偏光膜加热功℃训后℃后重新测试偏光度为一作者把上述吸收曲线的变化和偏光度增加的原因归结于膜中有可能还存在聚集结构发生变化所致以及碘的价态和北京理工大学学报第卷一种推测的氧化机理模型文献【曾给出了溶液中络合物的结构模型由此作者曾推测过基模的氧化机理模型为偏光膜与形成络合物的机理模型进一步推测含心的二二亡写二二亡子二幸之子了一二止二子了、表示在膜中表示在氧化浴中当基膜放人氧化浴中膜表面的一立即被溶解在水溶液中被氧化成验加以证实而以至和至膜中存在于氧化水溶液中它与作用可以分别以至和歹的形式存在于固态该推测尽管能解释一些现象但还需进一步实参考文献么咫灿认丽」飞月洛此比如找心‘山】田记此兀七岛切习几咖优纷刃讹七比几血伽以‘山即印璐妞几吻仁张公正周名华改性聚乙烯醇偏光膜的制备及性能的研究日本电子机械工业会规格功能材料卯一液晶研究委员会林尚安滋以切为高分子化学北京科学出版社用光学夕布沙人以劝脸住友化学泊忱田沁璐卯一幻卯】咖刃目伪功父一亡为五印击山币阮坟刃记蜘毗记比山阮记川笼氏臼过加留挽石吨又洲〕而块脚山理劝旧刀盯璐七妞扮泊元仰加加石加把及劝加拓留加阵万】讨七】远珊范泊心“为云巴。泥面胎时‘‘盯政贝而】