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PA输入端匹配电路之作用

2020-04-13 来源:年旅网
零中频架构收发器,顾名思义,去除掉了中频的零件,由于具备了低成本,低复杂度,以及高整合度,这使得零中频架构的收发器,在手持装置,越来越受欢迎。但连带也有一些缺失,其中一项便是所谓的VCO Pulling,如下图[1-3] : 在零中频架构中,因为主频讯号的频率与LO相同,所以有可能会泄漏并造成干扰,而整个发射路径中,最可能的泄漏来源为PA输出端与天线端,因为PA输出端的能量最强,因此会以传导方式干扰,而天线端则是会直接以辐射方式干扰,使调变精确度下降,导致相位误差,频率误差,以及EVM都会有所劣化。因此不论是高通,或是MTK,都会建议收发器与PA要分别放在两个独立的屏蔽框里,也是为了避免VCO Pulling[1]。 1

除此之外,PA输入端的匹配若没调校好,会因反射而干扰VCO,导致调变精确度下降,如下图 : 而PA输入端的匹配电路,其摆放位置需依平台而定,例如若为MTK的MT6252,则需靠近收发器,但若为高通的WTR1605L,则需靠近PA。 有时会遇到的问题是,将PA输入端的SAW Filter拔掉,其相位误差与EVM会变差,此时可能有人会认为是SAW Filter的关系,但这是个误解,因为相位误差与EVM,都是带内噪声,而SAW Filter是用来抑制带外噪声,换言之,SAW Filter无法改善相位误差与EVM,相反地,若SAW Filter的Group Delay过大,会导致信号有所失真,进而劣化EVM。 2

因此合理的解释,便是VCO Pulling,当PA输入端放SAW Filter,此时收发器看出去的S11很好,不会有讯号反射。 但是当PA输入端的SAW Filter拔掉时,其发射讯号由于Layout走线阻抗关系,导致收发器看出去的S11不好,讯号反射打到VCO,使得调变精确度下降,其相位误差与EVM变差。故此时应针对PA输入端的Matching再作微调,以减少反射[3]。 3

另外,由[4-6]可知,当RF讯号的谐波过大时,可在PA输入端,设计LC低通滤波器,先抑制PA输入端的谐波,避免因PA的非线性效应,而使其更加恶化。 4

特别注意的是,不可将LC低通滤波器,设计在PA输出端,因为会动到Load-pull。 由上图可知,不同的Load-pull,会有不同谐波值,第二象限是高谐波区,若该 LC低通滤波器,使Load-pull跑到第二象限,进而导致谐波值变大,那么该滤波器抑制谐波的能力,便大打折扣。 5

如上图,假设该滤波器,其谐波的Insertion Loss为10 dB,但因更动了Load-pull,使其谐波增加了10 dB,那么最终谐波会因其抵消结果,而并未所有抑制,故若将LC低通滤波器,设计在PA输出端,那么该滤波器抑制谐波的能力,便大打折扣,即便最终谐波仍获得改善,也会因Load-pull更动,而导致其他发射端的性能都劣化[4-6]。 6

而由[1-2]可知,PA的输入端,其实也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull : 因此这部分的匹配若没调校好,会使DA的线性度不够,导致在PA输入端,开关频谱已偏高的情况发生,再加上PA是主要的非线性贡献者,如此便会导致PA输出端的开关频谱更差。 7

当然WCDMA的ACLR,也是一样道理,因此PA输入端的ACLR不能太差,否则PA输出端的ACLR,肯定只会更差,而一线品牌大厂,其正负5MHz的ACLR,都要求至少-40 dBc, 所以PA输入端,其正负5MHz的ACLR 至少要-50 dBc。另外EVM也是一样道理,由下图可知,当PA输入端的Matching调校为较收敛的状况时,其EVM也跟着改善[2]。 8

由于PA的输入功率范围一向很广,以RFMD的RF3225为例,其输入功率范围为0 dBm ~ 6 dBm,这表示收发器的输出功率,即便扣掉Mismatch Loss与Insertion Loss,仍符合PA的输入功率范围,因此一般而言,较少调校此处的匹配,通常都是要debug时,才会调校此处。而由以上可以看出,若PA输入端走线阻抗控制做得够好,有收敛在50奥姆附近,理论上拿掉 是不至于出太大问题。当然,PA输入端Matching拿掉,就无法兜低通滤波器,来解传导杂散,不过若是高通平台。还可以靠调NV的方式来解。下图是PA_Enable、ANT_SEL、V_ramp三条曲线[1]。 这三条曲线,对于谐波以及开关频谱,都会有影响,建议PA_Enable比V_ramp早开启,而且最好能早一段时间。而Ant_sel可以比PA_en早开启,也可以比PA_en晚开启,看怎样的NV值 其谐波以及开关频谱会最低。 9

前面提到,若PA输入端走线阻抗控制做得够好,有收敛在50奥姆附近,理论上其PA输入端的Matching可拿掉。而若PA没有内建DC Block,则PA输入端需摆放串联电容。然而,由[7-8]可知,串联电容会使阻抗有所偏移,破坏原本已经控制好的阻抗。那这该如何处理呢 ? 上式是容抗的公式,由上式可知,当电容值极大时,其阻抗会近乎于零。而作阻抗匹配前,要先将落地组件拔除,且串联零奥姆电阻,来得知走线的原始阻抗[8],因此可知串联零奥姆电阻,并不会改变原始阻抗。而前述已知,电容值极大时,其阻抗会近乎于零,相当于零奥姆电阻,故可知若想抵挡直流讯号,但又不想使阻抗有所偏移时,可以摆放大电容,来同时兼具这两种需求。然而这边所谓的大电容,并不需要到uF等级,因为uF等级的电容,至少都是0603的尺寸,若摆放在走线,不仅占空间,同时也会因宽度与走线差异过大,产生很大的阻抗不连续,以至于Mismatch Loss增加,如下图: 10

因此pF等级的电容即可,以DCS 1800/PCS 1900为例,由下图可知,串联56 pF的电容,其阻抗几乎不变。 由前述我们可总结,PA输入端匹配电路的作用,主要是用来debug的 : 1. 频率误差/相位误差, EVM,调制频谱 => 减少反射,避免VCO Pulling。 2. 传导杂散 => 设计低通滤波器,减少谐波。 3. ACLR,开关频谱 => 提升DA线性度。 若阻抗控制有做好,原则上可以拿掉,以节省空间。但建议初始设计时,还是先摆放,以防万一,确认其发射性能皆无大碍时,下一版PCB设计再将其拿掉。 11

Reference [1] GSM之调制与开关频谱(ORFS)解析与调校大全, [2] WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析, [3] VCO Pulling对于零中频发射机之相位误差的危害, [4] 上集_磁珠_电感_电阻_电容 于噪声抑制上之剖析与探讨, [5] 中集_磁珠_电感_电阻_电容 于噪声抑制上之剖析与探讨, [6] 下集_磁珠_电感_电阻_电容 于噪声抑制上之剖析与探讨, [7] 手机射频之阻抗控制, [8] Passive Impedance Matching___实战大全, 12

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