专利名称：抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置专利类型：发明专利发明人：匡人渡边申请号：CN96120692.6申请日：19961121公开号：CN1160091A公开日：19970924
摘要：在一种丘克拉斯基单晶硅生长装置中，其在生长炉(1)中通过提线(7)上拉晶种(Z)来生长硅单晶(Y)，一个磁环(12)被安装在硅单晶上，一个电磁体(8)被固定于生长炉上以便上拉磁环。
申请人：日本电气株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：中科专利代理有限责任公司
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