专利名称：用于形成双金属栅极结构的方法专利类型：发明专利
发明人：G·V·卡尔维,C·卡帕索,斯里坎斯·B.·萨马弗达姆,詹姆
斯·K.·谢弗,W·J·泰勒
申请号：CN200880022723.4申请日：20080520公开号：CN101689508A公开日：20100331
摘要：一种方法包括：在具有第一和第二阱区(16、18)的半导体层(13)上形成第一栅极电介质层(26)；在第一栅极电介质层上形成第一金属栅极电极层(28)；在第一金属栅极电极层上并且毗邻第一栅极电介质层和第一金属栅极电极层的侧壁形成侧壁保护层(36)；在第二阱区上形成沟道区层(40)；在沟道区层上形成第二栅极电介质层(42)；形成第二金属栅极电极层(44)；以及在第一阱区上形成包括第一栅极电介质层和第一金属栅极电极层中的每一个的一部分的第一栅极堆叠(58)并且在沟道区层上和第二阱区上形成包括第二栅极电介质层和第二金属栅极电极层中的每一个的一部分的第二栅极堆叠(66)。
申请人：飞思卡尔半导体公司
地址：美国得克萨斯
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：屠长存
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