专利名称：一种单芯片白光LED的制备方法专利类型：发明专利
发明人：龙浩,于彤军,杨志坚,张国义申请号：CN201110213270.7申请日：20110728公开号：CN102244167A公开日：20111116
摘要：本发明提供一种单芯片白光LED的方法，该方法包括：在衬底上生长GaN模板层，所述GaN模板层包括非掺杂GaN外延层和n型掺杂GaN外延层，铺设碳纳米管，制备InGaN量子点结构，并生长量子垒层；随后利用MOCVD或MBE手段生长p型GaN导电层；光刻、激光划片、ICP、沉积电极等常规LED封装手段，制得单芯片白光LED。与现有技术相比，本发明通过调控碳纳米管阵列的图形，让每一个量子点的发光波长呈随机分布，一定区域实现波长组合的白光出射。本发明制备方便，工艺条件相对简单且易控制。
申请人：北京大学
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：贾晓玲
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容