专利名称：化合物半导体发光器件及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：三浦祥纪,松原秀树,松岛政人,关寿,纐缬明伯申请号：CN96104423.3申请日：19960327公开号：CN1137690A公开日：19961211
摘要：一种化合物半导体发光器件包括：GaAs衬底；形成在衬底上的包括GaN的缓冲层，其厚度为10nm～80nm；形成在缓冲层上的包括Al Ga N(0≤x＜1)的外延层；位于缓冲层和外延层之间的界面上的极薄的平面；形成在外延层上的发光层；以及形成在发光层上的覆盖层。在第一温度下通过有机金属氯化物气相外延形成缓冲层，而在高于第一温度的第二温度下通过有机金属氯化物气相外延形成外延层。最好包括In Ga N(0＜y＜1)的发光层掺有Mg。
申请人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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