专利名称：一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法专利类型：发明专利
发明人：朱嘉琦,于海玲,杨振怀,韩杰才申请号：CN201310329347.6申请日：20130731公开号：CN103332692A公开日：20131002
摘要：一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法，涉及一种纳米线的制备方法。本发明是要解决现有制备碳化硅纳米线的方法存在生产成本高、工艺复杂、制备温度高，不适合大规模生产以及制备出的碳化硅纳米线发光波段窄的技术问题。本发明的制备方法如下：一、清洗衬底；二、磁控溅射；三、高温煅烧。本发明应用于制备碳化硅纳米线。
申请人：哈尔滨工业大学
地址：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
国籍：CN
代理机构：哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人：侯静
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