专利名称：一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方
法
专利类型：发明专利
发明人：杨得鑫,程垚,周继宁,饶敏,霍德璇申请号：CN202011414328.X申请日：20201203公开号：CN112680212A公开日：20210420
摘要：本发明公开了一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法，本发明使用溶液旋涂法制备卤族钙钛矿薄膜，使用CsBr、PbBr、GeBr以及PEABr为原料以一定的比例进行称量，使用DMSO溶剂进行溶解。待其全部溶解以后，在石英片上进行悬涂，待成膜后在高温烤胶台上以70℃退火大约10min，获得CsPbGeBr(x＝0,0.1,0.2,0.3,0.4和0.5)钙钛矿薄膜。本发明降低了CsPbGeBr钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
申请人：杭州电子科技大学
地址：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
国籍：CN
代理机构：杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：杨舟涛
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