专利名称：RC-IGBT器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：潘嘉,杨继业,邢军军,张须坤申请号：CN201910034228.5申请日：20190115公开号：CN109830531A公开日：20190531
摘要：本发明公开了一种RC‑IGBT器件，该RC‑IGBT正面形成该器件各功能区，该RC‑IGBT背面形成的集电区呈矩阵排布，RC‑IGBT背面还设有促使IGBT进入电导调制状态的引导区，引导区所处位置不存在集电区。本发明还公开了一种RC‑IGBT器件制造方法。本发明在RC‑IGBT器件的N集电区版图设计加入了引导区结构，能引导IGBT尽快进入IGBT电导调制状态，能消除RC‑IGBT通态压降的snapback现象，对RC‑IGBT性能有较大提升。
申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：焦天雷
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