SONOS的存储单元及其操作方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200910201932.1 （22）申请日 2009.12.15

（71）申请人 上海华虹NEC电子有限公司

地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

（10）申请公布号 CN102097436A

（43）申请公布日 2011.06.15

（72）发明人 陈广龙

（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人 周赤

（51）Int.CI

H01L27/115; H01L29/792;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

SONOS的存储单元及其操作方法

（57）摘要

本发明公开了一种SONOS的存储单元，包

括SONOS器件和选择晶体管，其中SONOS器件的多晶硅栅极(141)和沟道区(11)之间为ONONO层(12’)，在较小的写入电压VP1下数据存储在ONONO层(12’)较下方的氮化硅(122)中，以满足高速数据存储需求；在较大的写入电压VP2下数据存储在ONONO层(12’)较上方的氮氧化硅(124)

中，以满足高可靠性数据存储需求。本发明还公开了所述SONOS的存储单元的操作方法。本发明所述SONOS的存储单元同时集成了快速大容量和高耐久性、高数据保持能力的数据存储结构，为半导体业界高性能和高集成度的需求提供了可行的解决方案。

法律状态

法律状态公告日2011-06-15 2011-08-10 2012-06-20 2014-01-08

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

专利申请权、专利权的转移

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公开

实质审查的生效 授权

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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说明书

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