专利名称：一种真空封装的超薄MEMS芯片及其加工方法专利类型：发明专利发明人：付世
申请号：CN201310285649.8申请日：20130708公开号：CN103359680A公开日：20131023
摘要：本发明公开了一种真空封装的超薄MEMS芯片及其加工方法，包括如下步骤：（1）选取标准晶圆材料作为衬底层；（2）在衬底层上制作单层或者多层走线；（3）在结构层上沉积金属层并图形化，然后刻蚀一定深度的凹槽；（4）利用金-金共晶键合方法将衬底层和结构层进行键合；（5）将结构层减薄至所需的厚度；（6）刻蚀出传感器的结构；（7）利用湿法刻蚀制备封盖层的凹槽，将玻璃浆图形化到封盖层；（8）利用稳定的玻璃浆真空封装工艺完成片级封装。本发明降低了高真空封装时产生的应力对器件性能影响。通过在结构层做双面加工来制作电连接和传感器结构，由于都是在一层硅材料做物理加工，不会产生过多的应力影响。
申请人：深迪半导体(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号2号楼302
国籍：CN
代理机构：北京英特普罗知识产权代理有限公司
代理人：齐永红
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