专利名称：一种用于ESD保护的双向SCR结构专利类型：发明专利
发明人：蔡小五,魏俊秀,高哲,梁超,刘兴辉,翟丽蓉,吕川,闫明申请号：CN201611077362.6申请日：20161130公开号：CN106783942A公开日：20170531
摘要：一种用于ESD保护的双向SCR结构，在P型衬底中间上部设有DNW阱；所述的DNW阱里形成PWell阱和NWell阱，PWell阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区；所述的P型衬底的一侧上部设有第二P+注入区和第二N+注入区，另一侧上部设有第三P+注入区和第三N+注入区。本发明解决了现有技术中存在的实现双向ESD保护器件时，需要在一般的SCR器件的基础上，设置寄生二极管或者并联一个二极管来完成，并联一个二极管会增大版图面积的问题。双向SCR结构提供了一种工作状态稳定，使用性能好，且能够节省版图面积的ESD保护结构。
申请人：辽宁大学
地址：110000 辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号
国籍：CN
代理机构：沈阳杰克知识产权代理有限公司
代理人：郑贤明
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